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                發展歷程

                ABOUT HIWAFER
                發展歷程
                • 2021年

                  1、2021年1月,海威華芯GaAs獲全國工商聯 “A級項目”(省部級科技一等獎)。


                • 2020年

                  1、2020年4月,海威華芯5G基站產品在2020成都新經濟新場景新產品首場發布會上向全球發布;


                  2、2020年10月,海威華芯砷化鎵毫米波芯片榮登中國芯優秀產品榜 ;


                  3、2020年12月6吋第二代/第三代半導體集成電路芯片生產線項目驗收通過。

                • 2019年

                  1、2019年8月,Hiwafer PPA15工藝正式發布;

                  2、2019年產值翻一番,多款產品實現量產。

                • 2018年

                  成都海威華芯科技有限公司新增射線裝置應用項目環境保護竣工驗收。

                • 2017年

                  1、2017年8月產出中國第一片6英寸SiC基GaN晶圓;


                  2、2017年9月,海威華芯加入5G創新聯盟。


                • 2016年

                  1、2016年4月全面打通生產線,并發布首款新品,IPD工藝、0.25um GaAs pHEMT產品;

                   

                  2、2016年8月GaAs芯片獲成都市科技進步二等獎,實現量產。


                • 2015年

                  2015年10月,首臺主設備搬入。

                • 2011年

                  公司成立,并開始建設廠區。

                • 2010年

                  規劃建設初期

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